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压力传感器电路内部的半导体器件产生的散粒噪声

发布日期:2016-07-27 作者: 点击:

压力传感器电路内部的半导体器件产生的散粒噪声

由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变,从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时,N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动,相当于对电容充电。当正向电压减小时,它又使电子和空穴远离耗尽区,相当于电容放电。当外加反向电压时,耗尽区的变化相反。当电流流经势垒区时,这种变化会引起流过势垒区的电流产生微小波动,从而产生电流噪声。其产生噪声的大小与温度、频带宽度△f成正比。

压力传感器

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关键词:压力传感器,压力传感器芯片,压力传感器模组

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